三星拟投资2000亿韩元,以8英寸晶圆生产第三代半导体
发布时间:2023-03-31 16:52:20 阅读量:674
据报道,三星已支出约2000亿韩元,准备开始生产碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)半导体,用于电源管理IC,而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片,跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆。
一位知情人士表示,“我了解到三星电子决定推动一项计划,将用于SiC和GaN开发的LED工艺中使用的部分8英寸设备混合使用,以提高开发效率。”
SiC和GaN被认为是下一代功率半导体材料。与传统的硅相比,它具有出色的耐高温和高电压耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好,以电动汽车为代表的汽车市场对它的需求不断增加。由于开关速度快,GaN被评价为更适合高频环境下的无线通信。
三星2023年初成立功率半导体工作小组,为制造SiC和GaN半导体的第一步。小组除了三星半导体员工,LED团队和三星高级技术学院(SAIT)也有参与。三星规划用8英寸晶圆制造GaN和SiC半导体,直接跳过多数功率半导体商用6英寸晶圆切入阶段。
Micro LED也会用8英寸晶圆生产,代表三星高级技术学院使三星Micro LED生产拥有GaN相关技术。
三星生产8英寸晶圆的SiC和GaN产品引起了广泛关注。目前,SiC产品仍主要使用4/6英寸晶圆生产,而GaN产品则逐渐采用8英寸晶圆生产。三星的发言人表示,他们的SiC半导体业务目前仍处于“研究阶段”,尚未做出任何决定。
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